淘宝(亚马逊没有提供兼容Chromecast的服务。

（e）在2℃下，忆杀pAl/CGDIB的循环性能对比图。目前，还记DIB研究的大多数表征方法是非原位技术，不可能实时检测电化学过程中物理和化学性质的变化。

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忆杀（f）在第一次循环期间的充电-放电期间的Sn负极的原位应力测量。第一原理DFT计算表明，还记来自石墨层的压力，还记导致四面体AlCl4-阴离子的结构变形，其四个键角从自由态的109.5°变为107.8°，106.8°，110.1°和107.6°分别处于扭曲状态。

在DIB中，得第单Sn箔和膨胀石墨分别用作负极和正极。

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